退火处理对CdZnTe晶体光电性能的影响

何亦辉 已出版文章查询
何亦辉
本平台内已出版文章查询
heyihui@mail.nwpu.edu.cn
1 介万奇 已出版文章查询
介万奇
本平台内已出版文章查询
1 周岩 已出版文章查询
周岩
本平台内已出版文章查询
1 刘惠敏 已出版文章查询
刘惠敏
本平台内已出版文章查询
1 徐亚东 已出版文章查询
徐亚东
本平台内已出版文章查询
1 王涛 已出版文章查询
王涛
本平台内已出版文章查询
1 查钢强 已出版文章查询
查钢强
本平台内已出版文章查询
1

+ 作者地址

1西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安710072


0
  • 摘要
  • 参考文献
  • 相关文章
  • 统计
研究了生长态CdZnTe晶体在经历了不同温度和时间的Cd/Zn和Te气氛退火后,其光电性能的变化规律.研究表明,在Cd/Zn气氛下退火180 h后,CdZnTe晶体中直径在5μm以上的Te夹杂的密度减小了1个数量级,晶体的体电阻率由1010 Ω·cm减小至~107 Ω· cm.同时发现,Cd/Zn源区的温度决定了退火后晶体在500~4000cm-1范围内红外透过率曲线的平直状态,这可能与晶体中的Cd间隙缺陷浓度相关,而与晶体中的载流子浓度和夹杂/沉淀相状态无关.在Te气氛下退火时,发现晶体的红外透过率的平直状态与晶体电阻率的对数lg(ρ)呈近似线性关系,同样可归因于退火过程中Cd间隙缺陷的浓度变化.

[1] Gehrels, N;Chincarini, G;Giommi, P;Mason, KO;Nousek, JA;Wells, AA;White, NE;Barthelmy, SD;Burrows, DN;Cominsky, LR;Hurley, KC;Marshall, FE;Meszaros, P;Roming, PWA;Angelini, L;Barbier, LM;Belloni, T;Campana, S;Caraveo, PA;Chester, MM;Citterio, O;Cline, TL;Cropper, MS;Cummings, JR;Dean, AJ;Feigelson, ED;Fenimore, EE;Frail, DA;Fruchter, AS;Garmire, GP;Gendreau, K;Ghisellini, G;Greiner, J;Hill, JE;Hunsberger, SD;Krimm, HA;Kulkarni, SR;Kumar, P;Lebrun, F;Lloyd-Ronning, NM;Markwardt, CB;Mattson, BJ;Mushotzky, RF;Norris, JP;Osborne, J;Paczynski, B;Palmer, DM;Park, HS;Parsons, AM;Paul, J;Rees, MJ;Reynolds, CS;Rhoads, JE;Sasseen, TP;Schaefer, BE;Short, AT;Smale, AP;Smith, IA;Stella, L;Tagliaferri, G;Takahashi, T;Tashiro, M;Townsley, LK;Tueller, J;Turner, MJL;Vietri, M;Voges, W;Ward, MJ;Willingale, R;Zerbi, FM;Zhang, WW .The Swift gamma-ray burst mission[J].The Astrophysical journal,2004(2):1005-1020.

[2] Szeles C. .CdZnTe and CdTe materials for X-ray and gamma ray radiation detector applications[J].Physica status solidi, B. Basic research,2004(3):783-790.

[4] Rudolph P. .Non-stoichiometry related defects at the melt growth of semiconductor compound crystals - a review [Review][J].Crystal Research and Technology: Journal of Experimental and Industrial Crystallography,2003(7/8):542-554.

[5] 徐亚东,介万奇,王涛,俞鹏飞,杜园园,何亦辉.CdZnTe晶体中微米级富Te相与PL谱的对应关系[J].无机材料学报,2011(04):359-363.

[6] Guoqiang Li;Wanqi Jie;Hui Hua;Zhi Gu .Cd_(1-x)Zn_xTe: Growth and Characterization of Crystals for X-ray and Gamma-ray Detectors[J].Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials,2003(3):85-104.

[7] 曾冬梅,周海,殷业财.CdZnTe晶体位错处的Raman光谱及PL谱研究[J].人工晶体学报,2012(04):922-925.

[8] 俞鹏飞,介万奇.低阻值In掺杂CdZnTe晶体的退火改性[J].人工晶体学报,2010(01):21-24.

[10] 李国强,介万奇,谷智,华慧.Correlation Between the IR Transmission Spectra and the CdZnTe Qualities[J].中国物理快报(英文版),2003(09):1600-1602.

[11] Pengfei Yu;Yihui He;Tao Wang;Wanqi Jie .Characterization of detector-grade CdZnTe:Al crystals obtained by annealing[J].Journal of Crystal Growth,2011(1):22-25.

[14] KOYAMA A.;HICHIWA A.;HIRANO R. .Recent Progress in CdZnTe Crystals[J].Journal of Electronic Materials,1999(6):683-687.

[19] Zha GQ;Jie WQ;Li Q;Wang ZW;Xu YD;Zeng DM .The effect of dislocations in Cd0.96Zn0.04Te single crystal on IR transmittance[J].Materials science in semiconductor processing,2006(1/3):160-163.

[20] Muren Chu;Sevag Terterian;David Ting;C. C. Wang;H. K. Gurgenian;Shoghig Mesropian .Tellurium antisites in CdZnTe[J].Applied physics letters,2001(17):2728-2730.


语种: 中文   

基金国家自然科学基金(51202197)

关键词CdZnTe晶体 红外透过率 Cd间隙 退火


期刊热词
  • + 更多
  • 字体大小