InAs/GaAs单电子量子点量子比特的失相率

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1湖南益阳师范高等专科学校 湖南 413049 中国

2中国科学院半导体研究所 半导体超晶格国家重点实验室 北京 100083 中国

3中国科学院上海冶金研究所 上海 200050 中国


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在有效质量包络函数理论近似下, 计算了InAs/GaAs量子点的参数相图,确切定义了InAs/GaAs量子点的参数的范围,使得该量子点能作为二能级量子系统用于量子计算;发现静电场能够有效延长消相干时间,当外加静电场超过20 kV/cm时,消相干时间能够达到毫秒量级. 这些结果有助于未来实现固态量子计算.

语种: 中文   

关键词量子点 量子计算 消相干


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